ee_importDeviceParameters

Importar parámetros de bloque de semiconductor ideal a partir de una ficha técnica en XML de Hitachi, Infineon o Wolfspeed

Desde R2021b

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Sintaxis

ee_importDeviceParameters(file,"hitachi",blockPath)
ee_importDeviceParameters(file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon)
ee_importDeviceParameters(file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon,GateResistanceOff=Rgoff)
ee_importDeviceParameters(file,"wolfspeed",blockPath,GateResistanceOn=Rgon)
ee_importDeviceParameters(file,"wolfspeed",blockPath,GateResistanceOn=Rgon,GateResistanceOff=Rgoff)
ee_importDeviceParameters(___,Verbose=true)
ee_importDeviceParameters(___,Verbose=false)

Descripción

Dispositivos Hitachi

ee_importDeviceParameters(file,"hitachi",blockPath) extrae los parámetros de una ficha técnica en un formato que Hitachi admite para un diodo, un transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) o un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET). Esta sintaxis importa los parámetros a un bloque de Simscape™ en la ruta blockPath especificada. El archivo XML debe estar en la ruta de MATLAB®. Esta sintaxis se aplica a estos bloques:

Para ejemplos de fichas técnicas de Hitachi para dispositivos IGBT y de diodo, consulte la página Módulos de diodos e IGBT con chips SPT, SPT+, SPT++ y TSPT+ en el sito web de Hitachi.

ejemplo

Dispositivos Infineon

ee_importDeviceParameters(file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon) extrae los parámetros de una ficha técnica en un formato que Infineon® admite para un diodo con el valor de resistencia de compuerta de activación especificado por Rgon. Esta sintaxis importa los parámetros a un bloque Diode en la ruta blockPath especificada. El archivo XML debe estar en la ruta de MATLAB (desde R2024b).

ee_importDeviceParameters(file,"infineon",blockPath,GateResistanceOn=Rgon,GateResistanceOff=Rgoff) extrae los parámetros de una ficha técnica para un IGBT o MOSFET con los valores de resistencia de compuerta de activación y desactivación especificados por Rgon y Rgoff. Esta sintaxis importa los parámetros a un bloque de Simscape en la ruta blockPath especificada. El archivo XML debe estar en la ruta de MATLAB. Esta sintaxis se aplica a estos bloques:

Para ejemplos de fichas técnicas de Infineon para dispositivos IGBT o MOSFET, consulte las páginas IGBTs – Insulated Gate Bipolar Transistors y Power MOSFET en el sitio web de Infineon.

Dispositivos Wolfspeed

Desde R2025a

ee_importDeviceParameters(file,"wolfspeed",blockPath,GateResistanceOn=Rgon) extrae los parámetros de una ficha técnica en un formato que Wolfspeed admite para un diodo con el valor de resistencia de compuerta de activación especificado por Rgon. Esta sintaxis importa los parámetros a un bloque Diode en la ruta blockPath especificada. El archivo XML debe estar en la ruta de MATLAB.

Nota

La función no usa el valor de Rgon porque los archivos XML de diodos de Wolfspeed especifican actualmente las pérdidas de energía por recuperación inversa como un cero constante. (desde R2025a)

ee_importDeviceParameters(file,"wolfspeed",blockPath,GateResistanceOn=Rgon,GateResistanceOff=Rgoff) extrae los parámetros de una ficha técnica en un formato que Wolfspeed admite para un dispositivo MOSFET con los valores de resistencia de compuerta de activación y desactivación especificados por Rgon y Rgoff. Esta sintaxis importa los parámetros a un bloque de Simscape en la ruta blockPath especificada. El archivo XML debe estar en la ruta de MATLAB. Esta sintaxis se aplica a estos bloques:

Para ver ejemplos de fichas técnicas de Wolfspeed, consulte la página LTspice and PLECS Models del sitio web de Wolfspeed.

Opciones adicionales

ee_importDeviceParameters(___,Verbose=true) también activa las advertencias sobre campos no utilizados en el archivo XML.

ee_importDeviceParameters(___,Verbose=false) también desactiva las advertencias sobre campos no utilizados en el archivo XML.

Ejemplos

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Elija el bloque al que desea importar los parámetros. Abra un modelo que contenga un bloque IGBT (Ideal, Switching).

openExample("simscapeelectrical/ImportIGBTFromHitachiExample")

Edite el archivo ee_import_igbt_device_parameters_data.xml para inspeccionar el contenido.

edit ImportIGBTFromHitachiData.xml

Haga clic en el bloque IGBT (Ideal, Switching) y llame a la función ee_importDeviceParameters.

ee_importDeviceParameters("ImportIGBTFromHitachiData.xml","hitachi",gcb)

Argumentos de entrada

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Nombre del archivo XML que desea importar y del que desea extraer parámetros.

Para parametrizar un bloque Diode, IGBT (Ideal, Switching) o MOSFET (Ideal, Switching), especifique file como una cadena que distingue entre mayúsculas y minúsculas.

Para parametrizar un bloque Half-Bridge (Ideal, Switching), especifique file como un arreglo de celdas {file1,file2}, donde file1 y file2 son cadenas que distinguen entre mayúsculas y minúsculas. file1 es el archivo XML que parametriza los dispositivos de conmutación, que deben ser IGBT o MOSFET. file2 es el archivo XML que parametriza los diodos de protección integral (desde R2024b).

Ejemplo: ee_importDeviceParameters("ImportData.xml","hitachi",gcb) parametriza el bloque en el que se ha hecho clic más recientemente con datos en el formato que Hitachi admite a partir del archivo ImportData.xml. El bloque en el que se ha hecho clic más recientemente debe ser un bloque Diode, IGBT (Ideal, Switching) o MOSFET (Ideal, Switching).

Ejemplo: ee_importDeviceParameters({"ImportIGBTFromHitachiData.xml","ImportDiodeFromHitachiData.xml"},"hitachi",gcb) parametriza el bloque Half-Bridge (Ideal, Switching) en el que se ha hecho clic más recientemente con datos en el formato que Hitachi admite. La función utiliza ImportIGBTFromHitachiData.xml para importar parámetros para los dispositivos de conmutación y ImportDiodeFromHitachiData.xml para importar parámetros para los diodos de protección integral.

Nombre o identificador de ruta del bloque Diode, IGBT (Ideal, Switching), MOSFET (Ideal, Switching) o Half-Bridge (Ideal, Switching) al que desea importar los valores de parámetros.

Para encontrar el nombre de ruta, haga clic en el bloque y utilice la función gcb. Para encontrar el identificador de ruta, haga clic en el bloque y utilice la función gcbh.

Ejemplo: ee_importDeviceParameters("ImportData.xml","hitachi",gcb) parametriza el bloque en el que se ha hecho clic más recientemente con datos en el formato que Hitachi admite a partir del archivo ImportData.xml. El bloque en el que se ha hecho clic más recientemente debe ser un bloque Diode, IGBT (Ideal, Switching) o MOSFET (Ideal, Switching).

Ejemplo: ee_importDeviceParameters("ImportData.xml","hitachi","myModel/myBlock") parametriza el bloque denominado "myBlock" en el nivel superior del modelo denominado "myModel", con datos en el formato que Hitachi admite a partir del archivo ImportData.xml.

Desde R2024a

Resistencia de compuerta de activación para dispositivos Infineon y Wolfspeed, especificada en ohmios.

Para el bloque Half-Bridge (Ideal, Switching), Rgon representa la resistencia de compuerta de activación de los dispositivos de conmutación, que deben ser IGBT o MOSFET, y los diodos de protección integral.

Si, en el argumento file, especifica un archivo XML de Infineon con el tipo de paquete igual a "MOSFET with Diode", la función también usa el valor del argumento Rgon para calcular las pérdidas por recuperación inversa.

Puede utilizar este argumento solo si especifica el argumento de entrada "infineon" o "wolfspeed".

Desde R2024a

Resistencia de compuerta de desactivación para un IGBT Infineon, MOSFET Infineon (desde R2026a) o MOSFET Wolfspeed, especificada en ohmios. La función utiliza este valor para parametrizar un bloque IGBT (Ideal, Switching) o MOSFET (Ideal, Switching), o para importar parámetros para los dispositivos de conmutación en un bloque Half-Bridge (Ideal, Switching).

Puede utilizar este argumento solo si especifica el argumento de entrada "infineon" o "wolfspeed" y el tipo de paquete del archivo XML es MOSFET O IGBT.

Opción para activar advertencias sobre campos no utilizados en el archivo XML cuando utiliza esta función, especificada como true o false.

Más acerca de

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Sugerencias

  • Las fichas técnicas de Infineon, Hitachi y Wolfspeed no especifican valores para cada parámetro de los bloques que esta función admite. Si la ficha técnica no proporciona un valor, la función utiliza los valores predeterminados del parámetro del bloque y añade % Parameter not set al valor. Si simula un modelo parametrizado con la función ee_importDeviceParameters y no obtiene los resultados esperados, ajuste estos parámetros para que funcionen mejor con los datos.

  • Para parametrizar un IGBT o MOSFET con un diodo de protección, modele el diodo externamente. Llame a la función ee_importDeviceParameters dos veces; una vez para parametrizar un bloque IGBT (Ideal, Switching) o MOSFET (Ideal, Switching), y otra para parametrizar un bloque Diode.

  • Para parametrizar un semipuente con diodos de protección, modele los diodos internamente en el bloque Half-Bridge (Ideal, Switching). Llame a la función ee_importDeviceParameters una vez para parametrizar los dispositivos de conmutación y los diodos de protección integral.

  • Los archivos de formato XML de Infineon, Hitachi y Wolfspeed proporcionan información que se puede utilizar para parametrizar modelos ideales de dispositivos de conmutación con pérdidas de conmutación tabuladas y un modelo térmico. Utilice la función ee_importDeviceParameters cuando se base en las siguientes premisas de modelado:

    • Curva I-V de estado activado tabulada

    • Modelo sin carga

    • Pérdidas de conmutación tabuladas

    • Red térmica de Foster o Cauer

    Si desea modificar estas premisas de modelado, utilice un método diferente para parametrizar el bloque. Para obtener más información sobre las premisas de modelado y los métodos de parametrización, consulte Choose Blocks to Model Semiconductor Devices.

Infineon

  • Si el archivo XML de Infineon contiene valores de búsqueda de tensión en estado activo Von(Tj,I)) que no aumentan de manera monotónica con los valores del vector actual, la función ee_importDeviceParameters elimina la columna de la tabla de búsqueda de caída de tensión activada que contiene el valor no válido y el elemento correspondiente del vector de corriente. (desde R2026a)

  • Los archivos XML de MOSFET Infineon especifican una fórmula usando un formato de ecuación polinómica o tablas de búsqueda personalizadas. Esta fórmula determina los valores finales de las tablas de búsqueda de pérdida de activación y desactivación que varían con las resistencias de compuerta de activación y desactivación, respectivamente. (desde R2026a)

  • El tipo de paquete de los archivos XML de MOSFET Infineon puede ser "MOSFET" o "MOSFET with Diode". Si el tipo de paquete es igual a "MOSFET with Diode", la función ee_importDeviceParameters también calcula los parámetros de la sección Integral Diode en el bloque MOSFET (Ideal, Switching). Si el tipo de paquete es igual a "MOSFET", la función ee_importDeviceParameters establece el parámetro Integral protection diode del bloque MOSFET (Ideal, Switching) en "External diode". (desde R2026a)

  • Los archivos XML con el tipo de paquete igual a "MOSFET with Diode" normalmente especifican dos entradas para el campo ConductionLoss, con un atributo gate igual a "on" y "off", respectivamente. Sin embargo, es posible que los archivos XML de MOSFET Infineon especifiquen solo una entrada para el campo ConductionLoss. Si utiliza la función ee_importDeviceParameters para importar parámetros de dispositivo a partir de estos archivos, la función asume que los datos del campo ConductionLoss se refieren al dispositivo MOSFET y utiliza los valores de parámetros de bloque predeterminados para los parámetros del estado de conducción del diodo integral.

Wolfspeed

  • Los archivos XML de MOSFET Wolfspeed contienen valores negativos en los ejes de corriente y tensión para las tablas de búsqueda de la pérdida de activación y desactivación 3D. El bloque MOSFET (Ideal, Switching) no admite valores negativos para el eje de corriente y asume que las pérdidas de conmutación en valores de corriente negativos son siempre cero. Como consecuencia, esta función elimina estos valores negativos del eje, así como los datos de pérdida de energía de activación y desactivación correspondientes. El bloque admite el uso de valores negativos del eje de tensión, pero asume que las pérdidas de conmutación en estos valores de tensión siempre son cero. (desde R2025a)

  • Es posible que los archivos XML de MOSFET Wolfspeed especifiquen valores distintos en el eje de temperatura (Tj) para las tablas de búsqueda de la pérdida de activación y desactivación. Dado que los bloques MOSFET (Ideal, Switching) y Half-Bridge (Ideal, Switching) no admiten distintos valores del eje Tj para estas tablas de búsqueda, la función realiza una interpolación lineal de las tablas de búsqueda de pérdida de activación y desactivación de tal forma que compartan el mismo eje Tj común. (desde R2025a)

  • Los archivos XML de Wolfspeed para MOSFET, diodo de cuerpo y partes de diodo independientes especifican parámetros para una red térmica de Cauer. (desde R2025a)

  • Los archivos XML de Wolfspeed especifican una fórmula que determina el valor final de las tablas de búsqueda de pérdida de activación y desactivación que varía con las resistencias de compuerta de activación y desactivación, respectivamente. (desde R2025a)

  • Los archivos XML de Wolfspeed tanto para el diodo de cuerpo del dispositivo MOSFET como para las partes de diodo independientes especifican actualmente cero pérdidas por recuperación inversa. (desde R2025a)

  • Si el archivo XML de Wolfspeed utiliza el mismo valor de resistencia de compuerta para el cálculo de las pérdidas de activación y desactivación, la función ee_importDeviceParameters usa los valores de los argumentos GateResistanceOn y GateResistanceOff para su cálculo. (desde R2025a)

  • Si el archivo XML de Wolfspeed contiene valores de búsqueda de tensión activada (Von(Tj,I)) que no aumentan de manera monotónica con los valores del vector de corriente, la función ee_importDeviceParameters elimina la columna de la tabla de búsqueda de caída de tensión activada que contiene el valor no válido y el elemento correspondiente del vector actual. (desde R2025a)

Historial de versiones

Introducido en R2021b

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